（中央社台北20日电）iPhone X开卖不久，市场已将目光转向明年新iPhone。外媒引述分析师预估，明年新iPhone将具备DSDS功能，LTE传输速度可大幅提升，英特尔（Intel）是基频芯片大赢家。
国外科技网站MacRumors引述凯基投顾分析师郭明膑报告指出，苹果西元2018年推出新一代iPhone机种，将搭配英特尔或高通（Qualcomm）新一代基频芯片，可让新一代iPhone的LTE传输速度更佳。
报导引述指出，新iPhone的LTE芯片可支持4×4多入多出（MIMO）天线技术，今年9月新推出的iPhone，支持2×2的MIMO天线规格，郭明膑认为这将大幅提升明年下半年新款iPhone在LTE传输速度。
观察明年新款iPhone基频芯片分布比重，报导引述郭明膑报告预估，英特尔提供的基频芯片，将占明年新款iPhone所需70%到80%比重，甚至更高。
郭明膑预期明年新款iPhone将进一步支持双卡双待DSDS（dual-SIM dual standby）功能，预期能具备LTE+LTE连结。报导指出，这意味新款iPhone内建的2张SIM卡，可透过一组芯片同时运作。
郭明膑日前报告推测，苹果明年下半年将推出3款新iPhone，分别是6.5寸与5.8寸的有机发光二极体（OLED）屏幕机种，与6.1寸的TFT-LCD屏幕机种。其中2款新OLED机种针对高阶市场，新款TFT-LCD机种针对中低阶市场。
郭明膑先前预期明年iPhone整体出货量可达2.45亿支到2.55亿支，年成长约10%到20%。
